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MOCVD

2014-02-17字体:
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MOCVD
  主要用途:

  MOCVD金属有机化学气相沉积设备可外延生长GaN和ZnO单晶薄膜。

  设备组成:

  材料的输运采取了超纯的气路系统,源的切换和输入采用了多路 组合阀进气技术,有利于生长,具有陡峭界面的材料。采用压差控制技术控制组合阀的旁路和主路之间的压力,有利于材料生长的重复性和稳定性。采用管道镶嵌进气喷头,使反应源在衬底表面均匀混合并反应,大大降低了预反应的发生。采用专利产品电阻式快速升降温加热炉。采用先进的激光干涉仪对反应过程实时监测,掌握和控制生长模式。

  南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心将该技术转移到我公司进行产业化开发。

  技术参数:
  金属不锈钢腔体:(以下为腔体可扩展使用指标) 
高真空反应沉积室 极限真空度优于:5x10-5Pa; 沉积室压力调节范围 10~1000mba,精度±1%;
反应沉积室尺寸 φ200×300mm; 配气气路压力调节范围 10~1000mba,控制精度±1%;
样品台尺寸为 φ50mm,可旋转(速率0~60rpm连续可调) 配气气路温度控制范围 25℃~200℃,控温精度±1℃;
样品加热温度  室温~1200℃,控温精度±1℃; 工作气体  八路 其中5路为有机源
  气路采用进口内抛光管道、气动阀、VCR接头,漏率小于5×10-9Pa·L/s; 
  多层封接水冷进气接头,实现层流供气。
  不锈钢腔体沉积2英寸基片,膜厚匀度为±5%。  
  计算机及其控制软件,PLC可编程电脑智能控制系统软硬件1套;
上一条:多管LPCVD