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分子束外延

2014-02-18字体:
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分子束外延

  主要用途:

  可以在各种衬底材料上实现各种材料薄膜的外延生长工艺,实现 分子自组装、超晶格,量子阱、一维纳米线等。该设备配置合理,结构简洁,性能可靠,实用性强,可供各大学的实验室及科研机构作为分子束外延方面的科学研究及工艺实验之用。

  技术指标:

  真空度:生长室 5×10-8Pa,预备室 2×10-7Pa,

  进样室5×10-5Pa,样品大小:¢50mm

  分子束源炉:4-8个独立式束源炉,控制温1300℃±1℃

  直线电子抢:一套

  技术参数:(可定制)
型号 JZFZ-200 气动阀门供气压力 0.6-0.8mpa
真空室尺寸    ¢450*500(可定制) 冷却水循环量  1.2m3/h
生长室    5×10-8Pa 设备总功率    15KW
预备室    2×10-7Pa 设备占地面积  5.0m×2.0m
进样室    5×10-5Pa 可选部件 高能电子衍射仪
RHEED强度振荡,生长速率
监测系统
激光束扫描装置
养等离子体发生器及电源
计算机控制系统
四极质谱仪
样品尺寸  ¢50mm-¢75mm
基片加热台加热温度 外延生长室1200℃ 磁控室850℃
基片架自转速度 2-30转/分 可控可调
基片架    可加热 可升降 可旋转
供电 三相五线制-380VAC
工作环境温度  18-25℃

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