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多管LPCVD

2014-02-17字体:
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多管LPCVD
  主要用途:

  设备用LPCVD工艺生长多晶硅(Poly-Si)氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)。设备具有全自动运行方式和手动运行方式,实现炉温,气体流量, 压力,阀门的动作,泵的启闭的自动控制。

  设备组成:

  设备为水平管卧式结构,由石管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。

  技术参数:
型号 JZLPCVD 成膜类型 si3n4 poiy-si sio2
设备 8×10 沉积氮化硅膜均匀性不超过 ±5%
工作背景真空度 8×10 最高温度 1200℃
工作压强范围 13 充气控制回路 3-10路

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